Антава

IXYS

Транзистор IXBX50N360HV

IXBX50N360HV
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3.6 kV
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
660 W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXBX50N360HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3.6 kV
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность660 W
КорпусTO247HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current420 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Turn-on time889ns
Turn-off time1.88µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 50A; 660W; TO247HV

Документация

Документ производителя