Антава

IXYS

Транзистор IXBT6N170

IXBT6N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
6 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Корпус
D3PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 675,65 ₽

Сумма · с НДС 22%3 675,65 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 675,65 ₽
от 22 590,38 ₽
от 32 524,78 ₽
от 302 357,96 ₽
от 1202 234,25 ₽
от 5102 114,29 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT6N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current6 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусD3PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current36 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Turn-on time104ns
Turn-off time700ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK

Документация

Документ производителя