Антава

IXYS

Транзистор IXBT42N170A

IXBT42N170A
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
21A
Power dissipation
357W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBT42N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current21A
Power dissipation357W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current265A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge188nC
Kind of packagetube
Turn-on time33ns
Turn-off time308ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268

Документация

Документ производителя