IXYS

Транзистор IXBT32N300HV

TO268HVИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 3 kV
Collector current: 80 A
Power dissipation: 400 W
Корпус: TO268HV
Pulsed collector current: 280 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXBT32N300HV
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	3 kV
Collector current	80 A
Power dissipation	400 W
Корпус	TO268HV
Pulsed collector current	280 A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	142nC
Kind of package	tube
Turn-off time	160ns

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 3kV; 80A; 400W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.