Антава

IXYS

Транзистор IXBT2N250-TR

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
5 A
Power dissipation
32 W
Корпус
TO268
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBT2N250-TR
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current5 A
Power dissipation32 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current13 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 5A; 32W; TO268

Документация

Документы пока не предоставлены.