Антава

IXYS

Транзистор IXBT12N300HV

IXBT12N300HV
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3 kV
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
160 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXBT12N300HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3 kV
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность160 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current98 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Turn-on time64ns
Turn-off time180ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268

Документация

Документы пока не предоставлены.