Антава

IXYS

Транзистор IXBN42N170A

IXBN42N170A
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
21 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%8 557,23 ₽

Сумма · с НДС 22%8 557,23 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18 557,23 ₽
от 37 692,10 ₽
от 107 169,27 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBN42N170A
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current21 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current265 A
Power dissipation313 W
ТехнологияBiMOSFET™
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B

Документация

Документ производителя