Антава

IXYS

Транзистор IXBK55N300

IXBK55N300
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3 kV
Collector current
55 A
Power dissipation
625 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBK55N300
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3 kV
Collector current55 A
Power dissipation625 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge335nC
Kind of packagetube
Turn-on time637ns
Turn-off time475ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264

Документация

Документ производителя