Антава

IXYS

Транзистор IXBH6N170

IXBH6N170
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
6A
Power dissipation
75W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBH6N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current6A
Power dissipation75W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current36A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Turn-on time104ns
Turn-off time700ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3

Документация

Документ производителя