Антава

IXYS

Транзистор IXBH42N170A

IXBH42N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
21 A
Power dissipation
357 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBH42N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current21 A
Power dissipation357 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current265 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge188nC
Kind of packagetube
Turn-on time33ns
Turn-off time308ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3

Документация

Документ производителя