Антава

IXYS

Транзистор IXBH42N170

IXBH42N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
42 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXBH42N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current42 A
Power dissipation360 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge188nC
Kind of packagetube
Turn-on time224ns
Turn-off time1.07µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3

Документация

Документ производителя