Антава

IXYS

Транзистор IXBH16N170A

IXBH16N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
10 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBH16N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current10 A
Power dissipation150 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Turn-on time43ns
Turn-off time370ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3

Документация

Документ производителя