Антава

IXYS

Транзистор IXBH16N170

IXBH16N170
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
16A
Power dissipation
250W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBH16N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current16A
Power dissipation250W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current120A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Turn-on time220ns
Turn-off time940ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3

Документация

Документ производителя