Антава

IXYS

Транзистор IXBH12N300

IXBH12N300
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage
3 kV
Collector current
12 A
Power dissipation
160 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXBH12N300
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage3 kV
Collector current12 A
Power dissipation160 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current100 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge62nC
Kind of packagetube
Turn-on time460ns
Turn-off time705ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3

Документация

Документ производителя