Антава

IXYS

Транзистор IXBH10N300HV

IXBH10N300HV
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3kV
Collector current
10A
Power dissipation
180W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBH10N300HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3kV
Collector current10A
Power dissipation180W
КорпусTO247HV
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current88A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Turn-on time805ns
Turn-off time2.13µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV

Документация

Документ производителя