Антава

IXYS

Транзистор IXBF55N300

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
3 kV
Collector current
86 A
Power dissipation
357 W
Корпус
i4-pac
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBF55N300
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage3 kV
Collector current86 A
Power dissipation357 W
Корпусi4-pac
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current600 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 3kV; 86A; 357W; i4-pac

Документация

Документы пока не предоставлены.