Антава

IXYS

Транзистор IXBF20N360

IXBF20N360
Type of transistor
IGBT
Technology
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3.6kV
Collector current
20A
Power dissipation
230W
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBF20N360
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3.6kV
Collector current20A
Power dissipation230W
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current220A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3.6kV; 20A; 230W

Документация

Документ производителя