Антава

IXYS

Транзистор IXA30RG1200DHGLB

IXA30RG1200DHGLB
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Корпус
SMPD-B
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 34 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 189,06 ₽

Сумма · с НДС 22%1 189,06 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 189,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXA30RG1200DHGLB
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current30 A
КорпусSMPD-B
Electrical mountingSMT
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current75 A
Рассеиваемая мощность147 W
ТехнологияISOPLUS™, Sonic FRD™
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT

Документация

Документ производителя