IXYS
Транзистор IXA20PG1200DHGLB
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 23 A
- Корпус
- SMPD-B
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 22 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 923,11 ₽
Сумма · с НДС 22%1 923,11 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 923,11 ₽ | |
| от 3 | 1 686,94 ₽ | |
| от 10 | 1 591,34 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXA20PG1200DHGLB |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 23 A |
| Корпус | SMPD-B |
| Electrical mounting | SMT |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 45 A |
| Рассеиваемая мощность | 130 W |
| Технология | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.