Антава

IXYS

Транзистор IXA20I1200PB

IXA20I1200PB
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
22 A
Рассеиваемая мощность
165 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXA20I1200PB
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current22 A
Рассеиваемая мощность165 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current45 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Turn-on time110ns
Turn-off time350ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3

Документация

Документ производителя