Антава

IXYS

Транзистор IXA12IF1200HB

IXA12IF1200HB
Type of transistor
IGBT
Технология
Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
13 A
Power dissipation
85 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXA12IF1200HB
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияPlanar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current13 A
Power dissipation85 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27nC
Kind of packagetube
Turn-on time110ns
Turn-off time350ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3

Документация

Документ производителя