INFINEON

Транзистор ISZ15EP15LMATMA1

PG-TSDSON-8FLИзображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150 V
Drain current: -2.7 A
Power dissipation: 26.3 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	ISZ15EP15LMATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150 V
Drain current	-2.7 A
Power dissipation	26.3 W
Корпус	PG-TSDSON-8FL
On-state resistance	1.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; SiC; unipolar; -150V; -2.7A; 26.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.