Антава

INFINEON

Транзистор ISS55EP06LMXTSA1

ISS55EP06LMXTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-0.18 A
Рассеиваемая мощность
0.4 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяISS55EP06LMXTSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-0.18 A
Рассеиваемая мощность0.4 W
КорпусSOT23
On-state resistance5.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge590pC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -180mA; 400mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.