Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор ISP75DP06LMXTSA1

ISP75DP06LMXTSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-1.1A
Power dissipation
4.2W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяISP75DP06LMXTSA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-1.1A
Power dissipation4.2W
КорпусSOT223
On-state resistance0.75Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 4.2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.