INFINEON

Транзистор ISP13DP06NMSATMA1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -2.8 A
Power dissipation: 5 W
Корпус: PG-SOT223

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	ISP13DP06NMSATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-2.8 A
Power dissipation	5 W
Корпус	PG-SOT223
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20.2nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.