Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор ISO5852SDW

ISO5852SDW
Тип микросхемы
driver
Topology
IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначение
gate driver, high-/low-side
Корпус
SO16-W
Выходной ток
-5...2.5 A
Number of channels
2
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 174 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 601,56 ₽

Сумма · с НДС 22%1 601,56 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 601,56 ₽
от 31 514,78 ₽
от 101 343,12 ₽
от 401 024,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяISO5852SDW
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Тип микросхемыdriver
TopologyIGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначениеgate driver, high-/low-side
КорпусSO16-W
Выходной ток-5...2.5 A
Number of channels2
Напряжение питания15...30 V DC
Integrated circuit featuresgalvanically isolated
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...125 °C
Impulse rise time35ns
Pulse fall time37ns
Входное напряжение2.25...5.5 V
Kind of packagetube
Защитаundervoltage UVP
Напряжение изоляции5.7 kV
Исходное описание поставщика

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A

Документация

Документы пока не предоставлены.