Антава

ONSEMI

Транзистор ISL9V5045S3ST-F085C

ISL9V5045S3ST-F085C
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
450 V
Collector current
43 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±10 V

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяISL9V5045S3ST-F085C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage450 V
Collector current43 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level

Документация

Документы пока не предоставлены.