Антава

ONSEMI

Транзистор ISL9V3040D3ST

ISL9V3040D3ST
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
400 V
Collector current
17 A
Power dissipation
150 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяISL9V3040D3ST
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage400 V
Collector current17 A
Power dissipation150 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.