Антава

INFINEON

Транзистор ISC151N20NM6ATMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
74 A
Pulsed drain current
296 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяISC151N20NM6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current74 A
Pulsed drain current296 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусPG-TSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A

Документация

Документ производителя