Антава

INFINEON

Транзистор ISC028N04NM5ATMA1

ISC028N04NM5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
121 A
Pulsed drain current
484 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяISC028N04NM5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current121 A
Pulsed drain current484 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 121A; Idm: 484A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.