Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор ISC019N04NM5ATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
170A
Power dissipation
100W
Корпус
PG-TDSON-8 FL

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяISC019N04NM5ATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current170A
Power dissipation100W
КорпусPG-TDSON-8 FL
On-state resistance1.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 170A; 100W; PG-TDSON-8 FL

Документация

Документы пока не предоставлены.