Антава

INFINEON

Транзистор ISC019N03L5SATMA1

ISC019N03L5SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяISC019N03L5SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation69 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W

Документация

Документы пока не предоставлены.