Антава

INFINEON

Транзистор ISC015N04NM5ATMA1

ISC015N04NM5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
206 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
PG-TDSON-8

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяISC015N04NM5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current206 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусPG-TDSON-8
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8

Документация

Документы пока не предоставлены.