Антава

INFINEON

Транзистор IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
99 A
Power dissipation
143 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 375 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%448,07 ₽

Сумма · с НДС 22%448,07 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1448,07 ₽
от 5250,16 ₽
от 10233,95 ₽
от 50198,49 ₽
от 100182,47 ₽
от 500149,29 ₽
от 1000136,52 ₽
от 2000123,94 ₽
от 4000113,83 ₽
от 6000112,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRLR3636TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current99 A
Power dissipation143 W
КорпусDPAK
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK

Документация

Документ производителя