INFINEON
Транзистор IRLR2905TRPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 55 V
- Drain current
- 30 A
- Pulsed drain current
- 160 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 288 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%231,67 ₽
Сумма · с НДС 22%231,67 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 231,67 ₽ | |
| от 10 | 185,52 ₽ | |
| от 50 | 136,25 ₽ | |
| от 100 | 117,68 ₽ | |
| от 500 | 85,68 ₽ | |
| от 1000 | 76,12 ₽ | |
| от 2000 | 70,61 ₽ | |
| от 4000 | 68,95 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRLR2905TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55 V |
| Drain current | 30 A |
| Pulsed drain current | 160 A |
| Рассеиваемая мощность | 110 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±16 V |
| On-state resistance | 27 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 48nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.