Антава

VISHAY

Транзистор IRLR110PBF

IRLR110PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
17 A
Рассеиваемая мощность
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 293 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%256,48 ₽

Сумма · с НДС 22%256,48 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1256,48 ₽
от 10122,56 ₽
от 75111,94 ₽
от 300105,52 ₽
от 52598,38 ₽
от 112589,04 ₽
от 300077,68 ₽
от 502571,63 ₽
от 600069,62 ₽
от 750067,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRLR110PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current17 A
Рассеиваемая мощность25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.54 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.1nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W

Документация

Документ производителя