INFINEON
Транзистор IRLML6346TRPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 2.7 A
- Pulsed drain current
- 17 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 071 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%82,89 ₽
Сумма · с НДС 22%82,89 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 82,89 ₽ | |
| от 10 | 40,90 ₽ | |
| от 50 | 34,42 ₽ | |
| от 100 | 31,89 ₽ | |
| от 200 | 29,19 ₽ | |
| от 500 | 25,95 ₽ | |
| от 1000 | 23,60 ₽ | |
| от 3000 | 19,82 ₽ | |
| от 6000 | 17,48 ₽ | |
| от 9000 | 16,22 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRLML6346TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 2.7 A |
| Pulsed drain current | 17 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.8 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 80 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.9nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.