INFINEON
Транзистор IRLL2705TRPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 55 V
- Drain current
- 3.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 2.1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 421 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%245,49 ₽
Сумма · с НДС 22%245,49 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 245,49 ₽ | |
| от 10 | 150,59 ₽ | |
| от 50 | 113,22 ₽ | |
| от 100 | 100,58 ₽ | |
| от 500 | 76,76 ₽ | |
| от 1000 | 68,52 ₽ | |
| от 2500 | 59,17 ₽ | |
| от 5000 | 52,95 ₽ | |
| от 7500 | 49,83 ₽ | |
| от 12500 | 46,17 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRLL2705TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55 V |
| Drain current | 3.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 2.1 W |
| Корпус | SOT223 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.