Антава

INFINEON

Транзистор IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRLL024NTRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current4.4 A
Power dissipation2.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.4nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223

Документация

Документ производителя