Антава

VISHAY

Транзистор IRLI640GPBF

IRLI640GPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
9.9A
Pulsed drain current
40A
Power dissipation
40W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRLI640GPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current9.9A
Pulsed drain current40A
Power dissipation40W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.18Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP

Документация

Документ производителя