Антава

INFINEON

Транзистор IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
8.5A
Power dissipation
2.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRLHS6342TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current8.5A
Power dissipation2.1W
КорпусPQFN2X2
Gate-source voltage±12V
On-state resistance15.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.1W; PQFN2X2

Документация

Документ производителя