Антава

INFINEON

Транзистор IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
13 A
Рассеиваемая мощность
3.6 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIRLH5030TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current13 A
Рассеиваемая мощность3.6 W
КорпусPQFN5X6
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6

Документация

Документ производителя