Антава

INFINEON

Транзистор IRLB8314PBF

IRLB8314PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
664 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRLB8314PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current120 A
Pulsed drain current664 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.