Антава

INFINEON

Транзистор IRLB8314PBF

IRLB8314PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
664 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 423 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%346,05 ₽

Сумма · с НДС 22%346,05 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1346,05 ₽
от 10189,58 ₽
от 50145,38 ₽
от 100139,92 ₽
от 250131,27 ₽
от 500124,50 ₽
от 1000117,73 ₽
от 2000110,40 ₽
от 500099,87 ₽
от 600097,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRLB8314PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current120 A
Pulsed drain current664 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.