INFINEON
Транзистор IRLB4132PBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 100 A
- Pulsed drain current
- 620 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 243 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%434,98 ₽
Сумма · с НДС 22%434,98 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 434,98 ₽ | |
| от 5 | 303,54 ₽ | |
| от 10 | 256,24 ₽ | |
| от 50 | 185,20 ₽ | |
| от 100 | 165,45 ₽ | |
| от 250 | 148,54 ₽ | |
| от 500 | 139,23 ₽ | |
| от 1000 | 131,44 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRLB4132PBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 100 A |
| Pulsed drain current | 620 A |
| Power dissipation | 140 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.5 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.