Антава

INFINEON

Транзистор IRLB3813PBF

IRLB3813PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
260 A
Рассеиваемая мощность
230 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 267 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%397,35 ₽

Сумма · с НДС 22%397,35 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1397,35 ₽
от 3342,67 ₽
от 10286,17 ₽
от 50227,84 ₽
от 100209,61 ₽
от 200193,21 ₽
от 500174,98 ₽
от 1000160,40 ₽
от 2000154,93 ₽
от 5000149,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRLB3813PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current260 A
Рассеиваемая мощность230 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB

Документация

Документ производителя