Антава

VISHAY

Транзистор IRL640STRRPBF

IRL640STRRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
17 A
Pulsed drain current
68 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRL640STRRPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current17 A
Pulsed drain current68 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.27 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.