Антава

VISHAY

Транзистор IRL640STRLPBF

IRL640STRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
11A
Pulsed drain current
68A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRL640STRLPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current11A
Pulsed drain current68A
Power dissipation125W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W

Документация

Документ производителя