INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор IRL60HS118
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Technology
- OptiMOS™ 5
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60V
- Drain current
- 13A
- Power dissipation
- 5.8W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IRL60HS118 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 5 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 13A |
| Power dissipation | 5.8W |
| Корпус | PQFN2X2 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 17mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 5.3nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.