Антава

INFINEON

Транзистор IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
17 A
Power dissipation
3.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 594 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%312,20 ₽

Сумма · с НДС 22%312,20 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1312,20 ₽
от 10236,41 ₽
от 50174,15 ₽
от 100151,96 ₽
от 125145,38 ₽
от 250127,51 ₽
от 500112,28 ₽
от 800103,25 ₽
от 160091,97 ₽
от 240086,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRL530NSTRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current17 A
Power dissipation3.8 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK

Документация

Документ производителя